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- 半导体领域热处理设备
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灯退火系统
Features . Outline
RLA-4106-V 接触退火用灯光退火炉
真空置换室能力提高了吞吐量。
支持 Si、GaN 和 SiC 等各种晶圆。
- 真空置换室是腔室和运输装置的标配,以实现高吞吐量
- 包括 SiC 和 GaN 晶圆的自动基座转移功能
- 卤素灯上下交叉安装
- 6 区控制可以轻松控制每个区域的功率比
- 工件温度的非接触测量使用辐射温度计进行,并可进行反馈控制
RLA-3100 接触退火用灯光退火炉
在真空 (LP) 环境/N2 置换室气氛中进行活化和氧化。
支持 Si、GaN 和 SiC 等各种晶圆。
- 最高工作温度:1,200°C
- 支持多种晶圆大小,最高可达 8 英寸。
- 包括 SiC 和 GaN 晶圆的自动基座转移功能。
- 卤素灯上下交叉安装。
- 6 区控制可以轻松控制每个区域的功率比。
- 工件温度的非接触测量使用辐射温度计进行,并可进行反馈控制。
RLA-1200 快速热处理灯退火系统
这款用于 4 英寸至 8 英寸晶圆的灯光退火炉在研发中使用也能实现高质量处理。活化和氧化可以在真空 (LP) 环境和 N2 置换室气氛中进行。
- 用于研发的高性能处理
- 通过手动基座转移的低成本系统
- 上下交叉灯结构和均热炉提高了平面内温度的均匀性
- 提供 4 至 8 英寸晶圆尺寸
- 配备易于操作的高性能控制系统
- 采用真空设计的石英管能够在真空压力下进行精确的气体置换和加工处理