高温活性化アニール炉 VF-5300HLP、VF-3000HLP、VF-1000HLP
超高温処理が可能で、SiCパワー半導体の活性化アニールに対応。
Φ75〜200mmウェーハ対応の自動搬送搭載で、R&D〜量産まで使用可能な
縦型炉。
ゲート絶縁膜形成用縦型炉 VF-5300H、5100H、3000H、1000H
SiCパワー半導体の酸窒化処理が可能。
Φ75〜200mmウェーハ対応の自動搬送搭載。
炉内は当社独自のメタルフリー構造を採用、金属汚染の発生を抑制します。
コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-4100-V
複数のハロゲンランプを熱源とし、ウェーハのアニール処理が短時間で高精度に行えます。真空対応チャンバーおよび真空ロードロック搬送により、アニール特性とスループットが向上。
Si、GaN、SiCなど各種ウェーハの処理が可能で、Φ200mmウェーハにも対応。
コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-3100-V
複数のハロゲンランプを熱源とし、短時間で高精度なアニール処理が可能。真空対応チャンバー・N2ロードロック搬送により、高いスループットを実現。
Si、GaN、SiCなど各種ウェーハの処理が可能で、Φ200mmにも対応。
Features . Outline特長・概要
高温活性化アニール炉 VF-5300HLP、VF-3000HLP、VF-1000HLP
- R&Dから量産ラインに対応
- 75〜200mmまで幅広いウェーハサイズに対応
- N2ロードロックを標準装備
- C to C搬送を備え、高スループットを実現
- H2雰囲気でのトレンチラウンド化アニールに対応（オプション）
| 型式 | VF-5300HLP | VF-3000HLP | VF-1000HLP |
| 仕様 | 真空 | ||
| 常用使用温度 | 1900℃ | ||
| ウェーハサイズ（mm） | 〜Φ200 | ||
| 最大処理枚数 | 100枚 | 50枚 | |
| 処理 | 活性化アニール | ||
ゲート絶縁膜形成用縦型炉 VF-5300H、5100H、3000H、1000H
- R&Dから量産ラインに対応
- 〜Φ200mmまで幅広いウェーハサイズに対応
- 炉内は当社独自のメタルフリー構造
- 各種酸化/酸窒化処理が可能
(NO/N2O酸窒化、Wet/Dry酸化、H2アニール、NH3窒化) - チャンバークリーニング機構（オプション）
N2ロードロック（オプション）
| 型式 | VF-5300H | VF-5100H | VF-3000H | VF-1000H |
| 使用温度範囲 | 700〜1400℃ | |||
| ウェーハサイズ（mm） | 〜Φ200 | |||
| 最大処理枚数 | 75枚（Φ200） 100枚（Φ150） |
50枚 | ||
| 対応ガス | N2、Ar、H2、NO、N2O、NH3 | |||
| 処理 | 活性化アニール | |||
コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-4100-V
- 真空プロセスチャンバ採用によりアニール特性向上
- 真空ロードロック搬送に対応。ウェーハの酸化を抑制
- サセプタ載せ替え機構を標準装備。SiCやGaNウェーハ処理の全自動化に対応
- 冷却機構強化により降温時間を約33％削減（従来装置比）
- 6ゾーン制御で簡易に各々のパワー比率が設定可能
- 放射温度計により非接触でワークの温度を測定し、フィードバック制御が可能
| 型式 | RLA-4100-V |
| 使用温度範囲 | 400〜1200℃ |
| 昇温レート | 最大200℃/sec |
| ウェーハサイズ（mm） | 〜Φ200mm |
| ウェーハ搬送 | 真空対応クリーンロボット |
| 処理 | アニール、酸化 |
コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-3100-V
- 真空プロセスチャンバ採用によりアニール特性向上
- N?ロードロック搬送に対応。ウェーハの酸化を抑制
- サセプタ載せ替え機構を標準装備。SiCやGaNウェーハ処理の全自動化に対応
- 6ゾーン制御で簡易に各々のパワー比率が設定可能
- 放射温度計により非接触でワークの温度を測定し、フィードバック制御が可能
| 型式 | RLA-3100-V |
| 使用温度範囲 | 400〜1200℃ |
| 昇温レート | 最大200℃/sec |
| ウェーハサイズ（mm） | 〜Φ200mm |
| ウェーハ搬送 | 枚葉 |
| 処理 | アニール、酸化 |
