300mmウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5900

Φ300mmウェーハ最大100枚、FOUP16個の一括処理が可能な、ラージバッチ量産タイプの縦型拡散炉。
大容量ストッカーを備え、短タクトタイムを実現したフラッグシップモデル。

　

　

300mmウェーハ対応・ミニバッチ縦型炉 VF-5700

Φ300mmウェーハの短タクトタイム・高スループット処理が可能な、ミニバッチ25〜50枚一括処理タイプの縦型拡散炉。
ストッカースペースを削減した設計のため、全高3000mm以下で導入しやすいサイズになっています。ストッカーレスで導入されるケースも多く、ストッカー関連のコストを抑えることも可能です。

　

　

量産用ストッカー式縦型炉 VF-5300/VF-5300H

〜Φ200mmウェーハ最大150枚、20個のカセットストッカーを備え、連続バッチ処理が可能な、ラージバッチ量産タイプの縦型拡散炉。
LGOヒータ、二珪化モリブデン（MoSi₂）ヒータを使い分けることにより、酸化、拡散、LP-CVDはもちろん、SiCパワーデバイスのゲート酸窒化処理など超高温プロセスにも対応します。

　

　

量産用ターンテーブル式縦型炉 VF-5100/VF-5100H

〜Φ200mmのウェーハに対応し、50〜150枚処理まで選択が可能な、生産ラインにあわせフレキシブルに対応する縦型炉。
MEMS、パワーデバイス向けで豊富な出荷実績。

　

　

　

枚葉搬送ミニバッチタイプ縦型炉 VF-3000/VF-3000H

ミニバッチ、50〜75枚の選択処理が可能で、〜Φ200mmまで幅広いウェーハサイズに対応し、R&Dから量産まで使用可能な縦型炉。
超高温処理が可能でパワーデバイス製造に最適。

　

　

R&D用ミニバッチ縦型炉 VF-1000/VF-1000H

ミニバッチ、最大25枚の選択処理が可能で、〜Φ200mm、および300mmまで幅広いウェーハサイズに対応したR&D、少量生産用縦型炉。
小型で接地面積が少なくすみながらも、幅広いウェーハ径に対応し量産機と同一の温度特性を発揮します。

　

　

大口径縦型炉 VFS-4000

半導体製造装置の技術をガラス基板製造へ投入した、4.5G･5.5G対応大口径縦型炉。
石英ボート採用で低パーティクル、メタルフリーを実現、O₂濃度10ppm以下の真空処理が可能です。

　

Features . Outline特長・概要

300mmウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5900

• ラージバッチ、最大100枚一括処理可能
• 最大16個のFOUPストッカー
• LGOヒータ搭載により、低温から中高温まで優れた温度特性を発揮
• 枚葉＋5枚一括搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送
• オペレータフレンドリーな高機能制御システム搭載

本体寸法(mm)	1250(W) × 4300(D) × 3450(H)
ヒータ	LGOヒータ
均熱長(mm)	1040
ウェーハサイズ(mm)	Φ300
一処理枚数	100枚
I/Oポート	2
FOUPストック	16（標準）
ウェーハ搬送	5枚一括＋枚葉
処理	酸化・拡散・CVD処理
処理品	Si

　

300mmウェーハ対応・ミニバッチ縦型炉 VF-5700

• ミニバッチ、25〜50枚一括処理でフレキシブルな処理能力を発揮
• 高速昇温可能なハイパワーヒータ搭載でスループット向上
• 枚葉による高速ウェーハ搬送
• オペレータフレンドリーな高機能制御システム搭載

本体寸法(mm)	1100(W) × 2000(D) × 2950(H)
ヒータ	LGOヒータ
均熱長(mm)	500
ウェーハサイズ(mm)	Φ300
一処理枚数	50枚
I/Oポート	2
ウェーハ搬送	枚葉
処理	酸化・拡散・LP-CVD処理、アニール他
処理品	Si

　

量産用ストッカー式縦型炉 VF-5300/VF-5300H

• 最大20個のカセットストッカーによる連続バッチ処理が可能
• オペレータフレンドリーな高機能制御システム搭載
• 5枚一括＋枚葉搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送
• LGOヒータ搭載により、低温から中高温まで優れた温度特性を発揮
• 二珪化モリブデンヒータを搭載のHタイプをラインアップ
• 機密性の高いチャンバー構造を採用（Hタイプ）

型式	VF-5300	VF-5300H
本体寸法(mm)	1000(W) × 1950(D) × 3300(H)
ヒータ	LGOヒータ	二珪化モリブデンヒータ
均熱長(mm)	〜960	500
使用温度	140〜1150℃	700〜1400℃
ウェーハサイズ(mm)	Φ150〜200	Φ150〜200
一処理枚数	150枚	Φ150：100枚 Φ200：75枚
ウェーハ搬送	5枚一括＋枚葉
処理	酸化、拡散、LP-CVD 各種アニール	高温酸化、酸窒化
処理品	Si、GaAs、InP、GaN、Ga2O3 他	Si、SiCウェーハ

　

量産用ターンテーブル式縦型炉 VF-5100/VF-5100H

• 生産ラインに合わせ、フレキシブルな装置構成可能
• オペレータフレンドリーな高機能制御システム搭載
• 5枚一括＋枚葉搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送
• LGOヒータ搭載により、低温から中高温まで優れた温度特性を発揮
• 二珪化モリブデンヒータを搭載のHタイプをラインアップ
• 機密性の高いチャンバー構造を採用（Hタイプ）

型式	VF-5100		VF-5100H
本体寸法 (mm)	900(W) × 1850(D) × 2930(H)	1000(W) × 1950(D) × 3300(H)	900(W) × 1850(D) × 3150(H)
ヒータ	LGOヒータ		二珪化モリブデンヒータ
均熱長 (mm)	〜960		500
使用温度	140〜1150℃		700〜1400℃
ウェーハサイズ(mm)	〜Φ200	Φ200	〜Φ200
一処理枚数(※)	〜Φ150：150枚 　Φ200：100枚	150枚	〜Φ150：100枚 　Φ200：75枚
ウェーハ搬送	5枚一括＋枚葉
処理	酸化、拡散、LP-CVD、各種アニール		高温酸化、酸窒化
処理品	Si、GaAs、InP、GaN、Ga2O3 他		Si、SiCウェーハ
※ウェーハの厚み、撓みによっては、処理枚数は要相談となります。

　

　　　　　　　　　　　　　　　

枚葉搬送ミニバッチタイプ縦型炉 VF-3000/VF-3000H

• ミニバッチ、50〜75枚処理の選択が可能、R&Dから量産ラインに対応
• LGOヒータ搭載により、低温から中高温まで優れた温度特性を発揮
• 枚葉搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送
• 使いやすさを追及した簡易型制御システムを採用
• 二珪化モリブデンヒータやカーボンヒータを搭載(Hタイプ)し、超高温プロセスにも対応
• 機密性の高いチャンバー構造を採用

型式	VF-3000	VF-3000H
本体寸法(mm)	1200(W)×1450(D)×2610(H)	1500(W)×1710(D)×2810(H)
ヒータ	LGOヒータ	二珪化モリブデン ヒータ	カーボン ヒータ
均熱長(mm)	360	250
使用温度	200〜1150℃	700〜1400℃	700〜1850℃
ウェーハサイズ(mm)	〜Φ200	〜Φ150
一処理枚数	〜Φ150：75枚 　Φ200：50枚	50枚
ウェーハ搬送	枚葉
処理	酸化、拡散、LP-CVD、 各種アニール	高温酸化、酸窒化	活性化アニール
処理品	Si、GaAs、InP、GaN、 Ga2O3 他	Si、SiCウェーハ

　

R&D用ミニバッチ縦型炉 VF-1000/VF-1000H

• R&Dにおいても高品位なプロセスを実現
• ミニバッチ、最大25枚処理の選択が可能
• 〜Φ200mm及び300mmと幅広いウェーハサイズに対応
• LGOヒータ搭載により、量産機と同一の温度特性を発揮
• 機能を限定した簡易型制御システムを採用
• 二珪化モリブデンヒータやカーボンヒータを搭載(Hタイプ)し、超高温プロセスにも対応
• 機密性の高いチャンバー構造を採用

型式	VF-1000		VF-1000H
本体寸法(mm)	1500(W) × 1000(D) × 2130(H)	1800(W) × 1400(D) × 2300(H)	1500(W) × 1000(D) × 2130(H)	1100(W) × 1190(D) × 2830(H)
ヒータ	LGOヒータ		二珪化モリブデン ヒータ	カーボン ヒータ
均熱長(mm)	〜250		150	250
使用温度	140〜1150℃		700〜1400℃	700〜1850℃
ウェーハサイズ(mm)	〜Φ200	Φ300	〜Φ150
一処理枚数	25枚	25枚	25枚	50枚
処理	酸化、拡散 LP-CVD、各種アニール		高温酸化、酸窒化	活性化アニール
処理品	Si、GaAs InP、GaN、Ga2O3 他		Si、SiCウェーハ

　

大口径縦型炉 VFS-4000

• 減圧処理、常圧処理に対応可能
• 各種ガスシステムに対応可能
• 最大基板サイズ 730×920(mm)
• 大型LGOヒータにより優れた温度特性を発揮
• 半導体縦型炉をFPD向けに大型化

本体寸法(mm)	2000(W) × 2000(D) × 4350(H) (炉体のみ)
ヒータ	LGOヒータ
使用温度範囲	200〜600℃
基板サイズ(mm)	730×920
一処理枚数	20〜25枚
温度均一性	±3℃以下
チャンバー材質	高純度石英
処理	コンタクトアニール、ポストベーク 活性化アニール、Fan-out対応
処理品	4.5G･5.5Gガラス基板