コンタクトアニール用ランプアニールシステム（RLA-4100-V／RLA-4200-V）

真空ロードロック搬送により、アニール特性と
スループットが向上。
Si、GaN、SiCなど各種ウェーハの処理が可能。
〜Φ200mmウェーハ対応。
新たに2チャンバタイプもラインアップ。

　

コンタクトアニール用ランプアニールシステム（RLA-3100）

Si、GaN、SiCなど各種ウエーハの処理が可能。
N2ロードロック雰囲気での処理が可能。
〜Φ200mmウェーハ対応。

　

　

R&D用ランプアニール装置（RLA-1200）

〜Φ200mmウェーハ対応、R&Dにおいても高品位処理を
実現したランプアニール装置。

　

　

Features . Outline特長・概要

コンタクトアニール用ランプアニールシステム（RLA-4100-V／RLA-4200-V）

• 真空プロセスチャンバ採用によりアニール特性向上
• 真空ロードロック搬送に対応。高温取出しでもウェーハ酸化を抑制
• サセプタ載せ替え機構を標準装備。SiCやGaNウェーハ処理の全自動化に対応
• 冷却機構強化により降温時間を約33％削減（従来装置比）
• 新たに２チャンバタイプをラインアップ（RLA-4200-V）
• 搬送・冷却を見直し、従来比2～2.4倍の生産性（RLA-4200-V）

コンタクトアニール用ランプアニールシステム（RLA-3100）

• 真空、常圧のプロセスチャンバを選択可能
• 多軸クリーンロボットによる高精度の搬送と生産性向上
• SiCやGaNウエーハ処理向けにサセプタ載せ替え機構を選択可能
• 高温取出しでもウエーハ酸化を抑制するN₂ロードロック搬送を選択可能

R&D用ランプアニール装置 （型式：RLA-1200）

• 〜Φ200mmまで幅広いウェーハサイズに対応
• 手動サセプター搬送採用により低コスト
• 真空、常圧プロセスチャンバを選択可能
• オペレータフレンドリーな高機能制御システムを搭載

型式	RLA-4200-V	RLA-4100-V	RLA-3100	RLA-1200
使用温度範囲	400〜1200℃
昇温レート	最大200℃/sec（Siウエーハ処理時） 最大50℃/sec（SiCウエーハ処理時）			最大200℃/sec （Siウエーハ処理時）
ウェーハサイズ	〜Φ200mm
ウェーハ搬送	真空対応 クリーンロボット		クリーン ロボット	手動