コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-4100-V
真空ロードロック搬送により、アニール特性と
スループットが向上。
Si、GaN、SiCなど各種ウェーハの処理が可能。
〜Φ200mmウェーハ対応。
コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-3100
Si、GaN、SiCなど各種ウエーハの処理が可能。
N2ロードロック雰囲気での処理が可能。
〜Φ200mmウェーハ対応。
R&D用ランプアニール装置 RLA-1200
〜Φ200mmウェーハ対応、R&Dにおいても高品位処理を
実現したランプアニール装置。
Features . Outline特長・概要
RLA-4100-V
- 真空プロセスチャンバ採用によりアニール特性向上
- 真空ロードロック搬送に対応。高温取出しでもウェーハ酸化を抑制
- サセプタ載せ替え機構を標準装備。SiCやGaNウェーハ処理の全自動化に対応
- 冷却機構強化により降温時間を約33%削減(従来装置比)
RLA-3100
- 真空、常圧のプロセスチャンバを選択可能
- 多軸クリーンロボットによる高精度の搬送と生産性向上
- SiCやGaNウエーハ処理向けにサセプタ載せ替え機構を選択可能
- 高温取出しでもウエーハ酸化を抑制するN2ロードロック搬送を選択可能
RLA-1200
- 〜Φ200mmまで幅広いウェーハサイズに対応
- 手動サセプター搬送採用により低コスト
- 真空、常圧プロセスチャンバを選択可能
- オペレータフレンドリーな高機能制御システムを搭載
型式 | RLA-4100-V | RLA-3100 | RLA-1200 |
使用温度範囲 | 400〜1200℃ | ||
昇温レート | 最大200℃/sec | ||
ウェーハサイズ | 〜Φ200mm | ||
ウェーハ搬送 | 真空対応クリーンロボット | クリーンロボット | 手動 |