半導体ウェーハ研削用　ビトリファイドダイヤモンドホイール nanoVi

高能率研削でも安定した切れ味を維持し、 工具費低減と生産性向上を実現

業界最小粒径0.5μmの超微粒ダイヤを均等にする革新製法の開発により、砥粒数、砥粒間隔を適正化 し、目詰まり抑制で 6インチSiCウエハ研削加工にて、表面粗さRa0.8nm、TTV1μmを達成しました。