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パワー半導体(Si)向け装置

300mmウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5900

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Φ150mm、Φ200mmで多数実績のあるSi-IGBT向け裏面電極アニール、
ポリイミドキュア処理をΦ300mmでも可能とする縦型炉。
最大100枚の一括処理が可能。

 

 

300mmウェーハ対応・ミニバッチ縦型炉 VF-5700

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Φ150mm、Φ200mmで多数実績のあるSi-IGBT向け裏面電極アニール、
ポリイミドキュア処理がΦ300mmでも可能に。
25〜50枚一括処理でフレキシブルな処理能力を発揮。

 

 

量産用ターンテーブル式縦型炉 VF-5100/VF-5100H

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〜Φ200mmのウェーハに対応し、生産ラインに合わせて処理枚数を50〜150枚の間で選択可能。LGOヒータ、二珪化モリブデン(MoSi2)ヒータを使い分けることにより、高温拡散、裏面電極アニール、ポリイミドキュアなどのプロセスにも対応します。

 

 

Features . Outline特長・概要

300mmウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5900

  • ラージバッチ、最大100枚一括処理可能
      ※ ウェーハの厚み、撓みによっては、処理枚数は要相談となります。
  • 最大16個のFOUPストッカー
  • Φ150mm、Φ200mmで培った低温制御技術を踏襲したLGOヒータ搭載。
      Φ300mm処理にも優れた温度特性を発揮
  • 枚葉+5枚一括搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送

300mmウェーハ対応・ミニバッチ縦型炉 VF-5700

  • ミニバッチ、25〜50枚一括処理でフレキシブルな処理能力を発揮
  • 高速昇温可能なハイパワーヒータ搭載でスループット向上
  • 枚葉による高速ウェーハ搬送
  • オペレータフレンドリーな高機能制御システム搭載

量産用ターンテーブル式縦型炉 VF-5100/VF-5100H

  • 生産ラインに合わせ、フレキシブルな装置構成可能
  • オペレータフレンドリーな高機能制御システム搭載
  • 5枚一括+枚葉搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送
  • LGOヒータ搭載により、低温から中高温まで優れた温度特性を発揮
  • 二珪化モリブデンヒータを搭載のHタイプをラインアップ

 

シリーズ VF-5900 VF-5700 VF-5100 VF-5100H
均熱長(mm) 1040 500 960 500
使用温度 140〜1150℃ 140〜1150℃ 140〜1150℃ 700〜1300℃
ウェーハサイズ
(mm)
Φ300 Φ300 〜Φ200 〜Φ200
一処理枚数 ※ 100枚 50枚 Max.150枚 〜Φ150:100枚
Φ200:75枚
ウェーハ搬送 5枚一括+枚葉 枚葉 5枚一括+枚葉
処理


酸化・拡散
LP-CVD
各種アニール

酸化・拡散
LP-CVD
各種アニール
酸化・拡散
LP-CVD
各種アニール
高温酸化・拡散
※ ウェーハの厚み、撓みによっては、処理枚数は要相談となります。

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